Полевой транзистор IRF540

Полевой транзистор IRF540.

• Структура транзистора: MOSFET
•  
• Тип управляющего канала: N-Channel
•  
• Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 150
•  
• Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 100V
•  
• Напряжение сток-затвор (Udg) предельное:
•  
• Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 20V
•  
• Предельный ток затвора транзистора (Id): 30
•  
• Предельная температура (Tj): 175
•  
• Время нарастания (Fr):
•  
• Ёмкость стока (Cd), Пф: 2100
•  
• Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds), Ом: 0.077
•  
• Производитель:
•  
• Корпус: TO-220